IT A-Z

สารบาญตามตัวอักษร

flash memory

ที่มา

ดูเพิ่มเติม

flash memory (บางครั้งเรียกว่า "flash RAM") เป็นประเภทของ constantly-powered nonvolatile memory ที่สามารถลบและดปรแกรมใหม่ในหน่วยความจำที่เรียกว่า บล๊อก สิ่งนี้เป็นการเปลี่ยนแปลงของ electrically erasable programmable read-only memory (EEPROM) ซึ่ง ไม่เหมือนกับ flash memory ได้รับการลบและเขียนใหม่ที่ระดับไบต์ ซึ่งช้ากว่าการปรับปรุง flash memory ตามปกติ flash memory ได้รับการใช้เพื่อควบคุมคำสั่ง เช่น basic input/output system (BIOS) ในเครื่องคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคล เมื่อ BIOS ต้องเปลี่ยนแปลง (เขียนใหม่) flash memory สามารถได้รับการเขียนลงในบล๊อก (แทนที่ไบต์) ทำให้ในการปรับปรุง อีกด้านหนึ่ง flash memory ไม่ใช้เป็น random access memory (RAM)

flash memory ได้รับชื่อนี้เพราะการจัดไมโครชิป ดังนั้นส่วนของเซลหน่วยความจำได้รับการลบในกากระทำครั้งเดียว หรือ “flash” การลบเป็นเหตุโดย Fowler-Nordheim tunneling ซึ่งอิเลคตรอนแทรกผ่านวัสดุ dielectric บางเพื่อลบการปล่อยประจุอิเลคตรอนจาก floating gate ที่สัมพันธ์กับแต่ละเซลหน่วยความจำ Intel ให้รูปแบบของ flash memory ที่เก็บ 2 บิต (แทนที่ 1 บิต) ในแต่ละเซลหน่วยความจำ ดังนั้นเพิ่มความจุหน่วยความจำเป็น 2 เท่าโดยปราศจากการเพิ่มราคา

flash memory ได้รับการใช้โทรศัพท์เซลลูลาร์ดิจิตอล, กล้องดิจิตอล, PC Card สำหรับคอมพิวเตอร์ notebook, สวิตช์ LAN, set-up box ดิจิตอล, ตัวควบคุมแบบฝัง และอุปกรณ์อื่นๆ

ศัพท์เกี่ยวข้อง

update: 15 พฤศจิกายน 2543