IT A-Z

เข้าสู่ระบบ

สารบาญตามตัวอักษร

A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z #

field-effect transistor

ที่มา SearchCIO-MidMarket.com

  :   ผู้ชม 6883

ดูเพิ่มเติม

transistor, bipolar transistor

field-effect transistor (FET) เป็นทรานซิสเตอร์ประเภทหนึ่งที่ใช้ทั่วไปสำหรับการขยายสัญญาณอ่อน (เช่น การขยายสัญญาณไร้สาย) อุปกรณ์นี้สามารถขยายสัญญาณอะนาล๊อกและดิจิตอล รวมทั้งสามารถสับเปลี่ยนกระแสตรงหรือการทำเป็นออสซิเลเตอร์

ใน FET กระแสไฟฟ้าไหลตลอดเส้นทางกึ่งตัวนำ (semiconductor) ที่เรียกว่าช่องสัญญาณ (channel) ที่ปลายข้างหนึ่งของช่องสัญญาณ มีขั้วไฟฟ้าเรียกว่าต้นกำเนิด (source) ปลายอีกข้างหนึ่งมีขั้วไฟฟ้าเรียกว่า ทางระบาย (drain) เส้นผ่าศูนย์กลางทางกายภาคของช่องสัญญาณตายตัว แต่เส้นผ่าศูนย์กลางทางไฟฟ้าประสิทธิผลสามารถแปรผันโดยการประยุกต์ของแรงดันไฟฟ้ากับขั้วไฟฟ้าควบคุมที่เรียกว่า gate การนำของ FET ขึ้นกับเส้นผ่าศูนย์กลางทางไฟฟ้าของช่องสัญญาณตามเวลา การเปลี่ยนแปลงเล้กน้อยในแรงดันที่ gate สามารถเป็นสาเหตุของการแปรผันขนาดใหญ่ในกระแสไฟฟ้าจากต้นกำเนิดไปยังทางระบาย นี่คือวิธีที่ FET ขยายสัญญาณ

field-effect transistor มีการจัดชั้นเป็นสองชั้น คือ junction FET (JFET) และ metal-oxide- semiconductor FET (MOSFET)

junction FET มีช่องสัญญาณที่ประกอบด้วยวัสดุกึ่งตัวนำ N-type (N-channel) หรือกึ่งตัวนำ P-type (P-channel) ส่วน gate ทำจากประเภทกึ่งตัวนำตรงข้าม ในวัสดุ P-type ประจุไฟฟ้าถูกนำส่งส่วนใหญ่ในรูปแบบของ อิเลคตรอนขาดประจุ ที่เรียกว่า hole ในวัสดุ N-type ประจุไฟฟ้านำส่งเป็นอิเลคตรอน ใน JFET จุดต่อคือเขตแดนระหว่างช่องสัญญาณกับ gate ตามปกติ จุดต่อ P-N เป็น reverse-biased (ประยุกต์ด้วยไฟฟ้ากระแสตรง) ดังนั้นไม่มีกระแสไฟฟ้าไหลผ่านระหว่างช่องสัญญาณกับ gate อย่างไรก็ตาม ภายใต้บางเงื่อนไขกระแสไฟฟ้าปริมาณน้อยไหลผ่านจุดต่อระหว่างส่วนของวงจรสัญญาณนำเข้า

ใน MOSFET ช่องสัญญาณสามารถเป็นได้ทั้งกึ่งตัวนำ N-type หรือ P-type ขั้ว gate เป็นชิ้นของโลหะที่มีผิวเป็นออกซิไดซ์ ชั้นอ๊อกไซด์เป็นฉนวนทางไฟฟ้าหุ้ม gate จากช่องสัญญาณ สำหรับเหตุผลนี้ MOSFET จึงมีชื่อเริ่มแรกว่า insulated-gate FET (IGFET) แต่คำนี้ไม่ค่อยมีการใช้ เนื่องจากชั้นออกไซด์กระทำเป็น dielectric ไม่เคยกระแสไฟฟ้าอย่างมีนัยยะระหว่าง gate กับช่องสัญญาณระหว่างส่วนใดๆของวงจนสัญญาณ สิ่งนี้ทำให้ MOSFET มี impedance นำเข้าสูงมากอย่างยิ่ง เนื่องจากชั้นออกไซด์บางมาก MOSFET อ่อนไหวกับการทำลายโดยไฟฟ้าสถิตย์ ข้อควรระวังพิเศษมีความจำเป็น เมื่อมีการจับหรือขนส่งอุปกรณ์ MOS

FET มีข้อได้เปรียบบางอย่างและข้อเสียเปรียบบางอย่างเมื่อเทียบกับ bipolar transistor โดย FET เหมาะสมทำงานกับสัญญาณอ่อน ตัวอย่าง ในการสื่อสารไร้สายและเครื่องรับการออกอากาศ สิ่งเหล่านี้พอใจกับวงจรและระบบที่ต้องการ impedance สูง โดยทั่วไป FET ไม่ใช่สำหรับการขยายกำลังสูง เช่น ความต้องการในการสื่อสารไร้สายกับเครื่องส่งออกอากาศ

field-effect transistor ได้รับการสร้างบนชิปวงจรรวมซิลิคอน (silicon integrated circuit) วงจรรวมหนึ่งตัวสามารถบรรจุ FET หลายพันตัว พร้อมกับส่วนประกอบอื่น เช่น ตัวต้านทาน ตัวเก็บประจุ และไดโอด

ศัพท์เกี่ยวข้อง

analog, digital, wireless, electron, impedance

update: 14 สิงหาคม 2543

IT A-Z ปรับปรุงล่าสุด
abacus
zero-day exploit
MPP (massively parallel processing)
message queueing
medium
semaphore
master/slave
MAC address (Media Access Control address)
mash-up
vlog
LANDesk Client Manager
laptop computer
linkrot
Itanium
Job Entry Subsystem (JES)
IP telephony (Internet Protocol telephony)
Kerberos
iterative
interoperability
interface definition language (IDL)

Loading
Microsoft Access
Access
ไชยวัฒน์ ตระการรัตน์สันติ สั่งซื้อผ่าน PayPal ในราคา 280 บาท
อุ้มผาง เบื้องหลังธรรมชาติ
Umphang
รู้จักอุ้มผางในอีกแง่มุม โดย ประชา แม่จัน
สั่งซื้อผ่าน PayPal ในราคา 90 บาท
สงวนลิขสิทธิ์ (C) widebase